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Si8441DB
Vishay Siliconix
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a, b
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R thJA
R thJC
37
7
45
9.5
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
c. Case is defined as top surface of the package.
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = - 250 μA
I D = - 250 μA
- 20
- 20
2.2
V
mV/°C
Gate-Source Threshold Voltage
V GS(th)
V DS = V GS , I D = - 250 μA
- 0.35
- 0.7
V
Gate-Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current a
I GSS
I DSS
I D(on)
V DS = 0 V, V GS = ± 5 V
V DS = - 20 V, V GS = 0 V
V DS = - 20 V, V GS = 0 V, T J = 70 °C
V DS ≤ - 5 V, V GS = - 4.5 V
V GS = - 4.5 V, I D = - 1 A
V GS = - 2.5 V, I D = - 1 A
-5
0.066
0.085
± 100
-1
- 10
0.080
0.102
nA
μA
A
Drain-Source On-State
Resistance a
R DS(on)
V GS = - 1.8 V, I D = - 1 A
0.105
0.128
Ω
V GS = - 1.5 V, I D = - 1 A
V GS = - 1.2 V, I D = - 0.5 A
0.145
0.200
0.198
0.600
Forward Transconductance
a
g fs
V DS = - 10 V, I D = - 1 A
7
S
Dynamic
b
Input Capacitance
C iss
600
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
V DS = - 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
130
70
pF
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Q g
Q gs
V DS = - 10 V, V GS = - 5 V, I D = - 1 A
V DS = - 10 V, V GS = - 4.5 V, I D = 1 A
8.5
7.7
0.85
13
12
nC
Gate-Drain Charge
Q gd
1.6
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
R g
t d(on)
V GS = - 0.1 V, f = 1 MHz
6.2
15
25
Ω
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V DD = - 10 V, R L = 10 Ω
I D ? - 1 A, V GEN = - 4.5 V, R g = 1 Ω
30
35
10
45
55
15
ns
www.vishay.com
2
Document Number: 74668
S-82119-Rev. C, 08-Sep-08
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